Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Техника arrow P-i-n-діод

Технологія швидкодіючих p-i-n - діодів

Структура р-i-n - діода і вимоги до параметрів напівпровідникового матеріалу

Швидкодіючі перемикаючі p-i-n - діоди являють собою зібрані в корпуси чи кріплення р-i-n структури з тонкою (від 1 до 10 мкм) високоомній ( > 10 Ом*см) ) базової i - областю n - або p - типу провідності. Матеріалом базової області зазвичай є епітаксиальні плівки кремнію. В якости низькоомних р - і n - областей використовуються низькоомні підкладки кремнію, тонкі епітаксиальні, дифузійні або іонно-леговані шари. Площа таких p-i-n - структур звичайно становить від 2*10-7 до 8*10-5 см2

Для мінімізації внеску в пр та обр опорів n - і p - областей товщину і питомий опір останніх прагнуть робити мінімальними. Крім того, зі зменшенням n і p зменшується опір контактів до цих областях.

При епітаксії внаслідок автолегірованія і дифузії домішки з підкладки на межі розділу між низькоомний і високоомній областями пластини утворюється перехідний шар зі змінною концентрацією домішки. Товщина його може бути порівнянна з розмірами бази діода. Аналогічний шар утворюється при створенні дифузійного або епітаксиального переходів в високоомній плівці.

Неповне збіднення цих шарів при зворотному зсуві призводить до збільшення зворотнього опору втрат діодів. При прямому зсуві через наявність перехідних шарів зменшуються коефіцієнти інжекції переходів. Тому при створенні діодних структур приймаються спеціальні заходи до збільшення різкості переходів.

Для того щоб повне збіднення базової області діода і перехідних шарів було отримано при невеликій напрузі зворотного зсуву, питомий опір i - шару має бути максимально великий.

 
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Предыдущая   СОДЕРЖАНИЕ   Следующая >
 
СКАЧАТЬ ОРИГИНАЛ
P-i-n-діод